RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
6.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.4
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1927
3726
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link