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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
6.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.4
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1927
2620
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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