Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 70
    Intorno -192% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 6.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.3 left arrow 4.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    70 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.5 left arrow 12.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.6 left arrow 6.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1264 left arrow 2256
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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