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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
70
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
4.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
28
Velocità di lettura, GB/s
6.5
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
4.6
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1264
2663
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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