RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
70
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
4.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
28
Velocità di lettura, GB/s
6.5
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.6
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1264
1989
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link