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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Motivi da considerare
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
69
Intorno -176% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
25
Velocità di lettura, GB/s
6.4
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2346
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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