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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
6.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2438
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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