RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
69
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
33
Velocità di lettura, GB/s
6.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2987
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link