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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
69
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
38
Velocità di lettura, GB/s
6.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2283
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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