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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
69
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
64
Velocità di lettura, GB/s
6.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2052
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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