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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Confronto
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
7.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
7.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2852
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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