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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Confronto
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
53
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
1,769.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
53
Velocità di lettura, GB/s
4,482.7
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,769.9
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2366
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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