RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Confronto
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
43
Velocità di lettura, GB/s
13.3
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2320
2615
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Segnala un bug
×
Bug description
Source link