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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Confronto
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
47
Intorno -4% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
45
Velocità di lettura, GB/s
12.2
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2128
2077
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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