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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
10.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1537
2955
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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