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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
75
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,384.7
2,036.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
75
52
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
5,635.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
2,384.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
1037
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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