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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2095
2808
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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