RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2095
2104
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link