RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Confronto
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
65
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
5.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
65
Velocità di lettura, GB/s
12.7
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2039
1981
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link