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Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Confronto
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
42
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
41
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2160
2476
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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