RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1995
2430
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link