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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
39
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
32
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1954
3279
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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