RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
37
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
19
Velocità di lettura, GB/s
13.7
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2102
3359
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link