RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
101
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
101
Velocità di lettura, GB/s
13.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2102
1382
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link