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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
11.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1857
3692
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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