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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.1
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2009
2173
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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