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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
40
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2125
3693
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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