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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2125
2419
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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