RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
122
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
122
Velocità di lettura, GB/s
13.2
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2125
1411
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link