RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
60
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
60
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2125
2359
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link