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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Confronto
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2125
3223
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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