RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1937
2709
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link