RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
37
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
37
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2510
2808
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link