RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
28
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2510
2417
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link