RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Confronto
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
29
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2510
2909
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link