RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Confronto
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
7.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
7.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
969
2815
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link