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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
38
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
38
Velocità di lettura, GB/s
12.5
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1917
2163
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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