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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
46
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1906
2660
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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