RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3567
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link