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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
11.9
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1920
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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