RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
85
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
85
Velocità di lettura, GB/s
11.9
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1118
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link