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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3113
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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