RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
11.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
73
Velocità di lettura, GB/s
11.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1724
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link