RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
11.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.9
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1998
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link