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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3238
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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