RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
11.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3227
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link