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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
27
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
21
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3380
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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