RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
11.5
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
4128
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link