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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3849
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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