RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
11.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3257
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link